905 nm 脉冲激光二极管芯片

905LD100W-A

90 W 峰值功率 905 nm 芯片，3 层叠层结构

采用应变量子阱材料与叠层隧道结结构的 905 nm 边发射激光芯片。3 层叠层在较低正向电流下即可达到 90 W 峰值功率，可降低驱动成本。适配塑封与金属气密封装工艺。